本文來自微信公眾號“芯鋰話”（ID:ddxinsanban），作者：芯鋰君，36氪經(jīng)授權(quán)發(fā)布。

?芯鋰話·半導(dǎo)體組原創(chuàng)/出品

作者 | 林曉晨

20世紀(jì)60年代，計算機(jī)正處于發(fā)展早期，對于當(dāng)時的科學(xué)技術(shù)來說，存儲是一件極為奢侈的事情。IBM瞥見了其中的商機(jī)，并準(zhǔn)備就此掀起一場計算機(jī)“存儲革命”。

“磁芯存儲器”是當(dāng)時全球的主流存儲技術(shù)，這項技術(shù)由美籍華人王安博士發(fā)明，后被IBM以50萬美元的價格收入囊中。“磁芯存儲器”雖然解決了計算的存儲問題，但卻有極大的改進(jìn)空間，全球最大的存儲設(shè)備也只能存儲一兆字節(jié)的信息。

IBM購買“磁芯存儲器”的專利的目的很簡單，就是希望將這種技術(shù)成功商業(yè)化，但龐大的設(shè)備空間與狹小的存儲空間形成強(qiáng)烈矛盾，只有攻破存儲器尺寸和空間的問題，這項技術(shù)才能真正的被全面推廣。

1966年秋，IBM負(fù)責(zé)“磁芯存儲器”優(yōu)化的項目組已經(jīng)取得突破性進(jìn)展，他們即將實現(xiàn)設(shè)備25平方厘米的尺寸突破，然而半導(dǎo)體存儲技術(shù)的出現(xiàn)卻讓一切戛然而止。

當(dāng)時，半導(dǎo)體技術(shù)正由青澀走向成熟，仙童半導(dǎo)體公司已經(jīng)在6年前完成了世界第一代晶體管集成電路的批量生產(chǎn)。得益于半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，IBM的34歲電氣工程師Robert H. Dennard發(fā)明出了一種“革命性”的半導(dǎo)體存儲技術(shù)“動態(tài)隨機(jī)存取存儲器”（簡稱DRAM）。

早在DRAM被發(fā)明之前，IBM的硅芯片設(shè)計師們就已經(jīng)實現(xiàn)晶體管儲存數(shù)據(jù)的做法，只不過當(dāng)時存儲一個比特數(shù)據(jù)需要用到6個晶體管，并沒有比“磁芯存儲器”強(qiáng)多少。

Dennard突發(fā)奇想的用1個晶體管是否存儲電荷來代表“0”或“1”，通過若干晶體管矩陣來存儲數(shù)據(jù)。由于晶體管在關(guān)閉電源后會出現(xiàn)漏電現(xiàn)象，從而導(dǎo)致存儲數(shù)據(jù)的損毀，因此這種存儲技術(shù)是易失的，需要周期性的充電使用。

DRAM有效地減少了電路板的體積，實現(xiàn)了當(dāng)初IBM的設(shè)想，但由于IBM當(dāng)時正被反壟斷調(diào)查，因此并未抓住DRAM的商機(jī)。

盡管如此，DRAM最終依然取代“磁芯存儲器”成為主流的存儲技術(shù)并被沿用至今，這項技術(shù)也就是如今我們常說的內(nèi)存。

時間飛逝，五十五年過去了，技術(shù)的進(jìn)步讓設(shè)備尺寸不再是衡量指標(biāo)，更快的帶寬和更低的電壓成為內(nèi)存企業(yè)們的追求。

聚焦當(dāng)下，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭到了歐美國家的全面針對，而在DRAM行業(yè)即將迎來的DDR5全新風(fēng)口中，我們卻看到了一家中國科創(chuàng)板企業(yè)的身影。

10月28日，國際芯片巨頭英特爾宣布，第12代PC版CPU首度支持DDR 5內(nèi)存和PCIe 5.0，正式掀開了DDR5的風(fēng)口。而就在一天之后，瀾起科技宣布其DDR5第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片已成功實現(xiàn)量產(chǎn)，并宣稱將努力在DDR5世代保持市場領(lǐng)先地位。

或許很多投資者認(rèn)為瀾起科技是在吹牛，但實際上它確實已經(jīng)坐到了全球細(xì)分龍頭的位置上。在強(qiáng)手如云的芯片領(lǐng)域，瀾起科技究竟是如何成功的呢？

/01/細(xì)分市場，剩者為王

瀾起科技是世界上最大的內(nèi)存接口芯片制造商，全球主流的內(nèi)存產(chǎn)品都會用到瀾起科技的芯片。

到底什么是內(nèi)存接口芯片呢？通俗的講它就是內(nèi)存與處理器之間的橋梁。

一塊內(nèi)存卡中，起到存儲作用的主要是內(nèi)存顆粒，其成本占到了內(nèi)存卡總成本的九成以上。目前，內(nèi)存顆粒的產(chǎn)能主要被三星、鎂光、海力士等幾家企業(yè)瓜分，其中三星占比最大，是全球最具話語權(quán)的內(nèi)存生產(chǎn)公司。

隨著時代的發(fā)展，服務(wù)器性能越來越高，而主板的體積卻幾乎從未發(fā)生變化。為了能夠在有限空間內(nèi)讓CPU更高效的讀取內(nèi)存顆粒中的數(shù)據(jù)，就需要添加內(nèi)存接口芯片來控制電壓、頻率、時序、XMP等原件參數(shù)，從而達(dá)到提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性的目的。

據(jù)瀾起科技招股書顯示，內(nèi)存接口芯片單價不足20元，與價值數(shù)百元的內(nèi)存顆粒形成鮮明對比，相當(dāng)于白菜價。這就導(dǎo)致內(nèi)存接口芯片的全球市場份額并不大，僅約6億美元左右。

來源：瀾起科技招股書

雖然內(nèi)存接口芯片售價很便宜，但其技術(shù)含量卻并不低，具有較高的技術(shù)護(hù)城河。

一款內(nèi)存接口芯片想要進(jìn)入主流市場，就必須經(jīng)過嚴(yán)格的認(rèn)證過程。首先該芯片必須經(jīng)過CPU廠商的認(rèn)證；其次還需要經(jīng)過內(nèi)存卡廠商的認(rèn)證；最后還要獲得最終客戶服務(wù)器廠商的認(rèn)可。三輪考驗過后，這款內(nèi)存接口芯片才能進(jìn)入市場，但仍不一定能夠獲得足夠的訂單

由于市場空間過于狹窄，而技術(shù)含量又很高，很多大企業(yè)看不上這微薄的利潤，而新入局者又被技術(shù)護(hù)城河所阻斷，這就導(dǎo)致行業(yè)中的參與者不斷減少。

瀾起科技最早是在DDR2世代開始參與競爭的，但由于入局時間較晚，因此并未獲得客戶的認(rèn)可。當(dāng)時德州儀器、英特爾、西門子、inphi、IDT、瀾起科技等十余家企業(yè)參與到行業(yè)競爭。

來源：瀾起科技招股書

從2008年開始，內(nèi)存卡迎來DDR3世代，當(dāng)時瀾起科技雖然跟上了行業(yè)主流技術(shù)，但由于入局時間較短，因此獲得的訂單并不多。這一時期，西門子、英特爾等大型企業(yè)開始退出，行業(yè)主要競爭者僅剩下德州儀器、inphi、IDT、Rambus、瀾起科技五家。

到了DDR4世代，瀾起科技早早布局，并第一個獲得了英特爾的認(rèn)證，其獨創(chuàng)的“1+9”構(gòu)架更是被采納為國際標(biāo)準(zhǔn)，由此迅速獲得了全球內(nèi)存接口芯片市場最大的市場份額。這一時期，行業(yè)競爭者僅剩下IDT、Rambus、瀾起科技三家，IDT與瀾起科技份額相當(dāng)。

在即將到來的DDR5世代中，行業(yè)競爭格局進(jìn)一步明朗化。

2019年，主要競爭對手IDT被日本瑞薩電子兼并，瑞薩電子主要聚焦于車聯(lián)網(wǎng)芯片的研發(fā)，對于內(nèi)存接口芯片并不重視，促使IDT原內(nèi)存接口芯片業(yè)務(wù)靈魂人物范賢志離職，因此瑞薩電子也極有可能會逐漸淡出市場。

未來，瀾起科技的主要競爭對手將僅剩下Rambus一家。市場中的競爭對手越來越少，這對于瀾起科技而言是一個好消息，但壞消息是，剩余的競爭對手Rambus并不弱。

Rambus是一家成立于1990年的美國芯片設(shè)計公司，原本其僅研發(fā)技術(shù)，并不生產(chǎn)產(chǎn)品，曾一度與英特爾在內(nèi)存方面展開深度合作，但最終卻因產(chǎn)品問題而被英特爾放棄。

自2015年開始，Rambus正式轉(zhuǎn)型進(jìn)軍產(chǎn)品研發(fā)，并憑借多年的關(guān)系在DDR4世代獲得了約20%的市場份額。目前，Rambus是除瀾起科技外，第二家高調(diào)研發(fā)DDR5內(nèi)存接口芯片的公司，同時前IDT高管范賢志在離開瑞薩電子后直接加盟了Rambus，并出任CEO。

對于DDR5世代的競爭，瀾起科技處于領(lǐng)先地位，無論是市場份額還是用戶信賴度，瀾起科技都要比Rambus強(qiáng)，將成為DDR5風(fēng)口下最大的受益者之一。

/02/DDR5風(fēng)口下的機(jī)遇

內(nèi)存接口芯片對瀾起科技極為重要，幾乎決定了瀾起科技的全部價值。

2020年報顯示，瀾起科技互聯(lián)類芯片營收達(dá)17.94億元，在總營收中的占比超過98%。由于DDR4 內(nèi)存接口芯片進(jìn)入產(chǎn)品生命周期后期，因此造成瀾起科技今年前三季度互連類芯片（主要為內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品）營收減少23.23%，毛利率更是由73.58%下降至65.38%。

受核心業(yè)務(wù)步入瓶頸影響，瀾起科技的股價一度持續(xù)低迷，而DDR5產(chǎn)品的正式量產(chǎn)，有望幫助公司打破業(yè)績瓶頸。DDR5內(nèi)存卡的“量”、“價”齊升，有望幫助瀾起科技突破瓶頸。

聚焦“量”能，受益于云計算、5G、AI等行業(yè)的發(fā)展，全球服務(wù)器行業(yè)有望迎來大發(fā)展。據(jù)DIGITIMES預(yù)計，2020年至2025年全球服務(wù)器出貨量的年化復(fù)合增長率將達(dá)到6.7%。

再加上行業(yè)競爭對手的相繼退出，瀾起科技很有可能在DDR5世代獲得更多的市場份額，而這一部分增量或?qū)⒅苯愚D(zhuǎn)化為業(yè)績。

在“價”的方面，DDR5帶來的最大改變是大幅提升單條內(nèi)存卡中芯片的單價。在DDR4“1+9”框架中，一條內(nèi)存卡中將會用到單顆 RCD芯片、9顆DB芯片；而在DDR5世代，“1+9”有望升級為“1+10+3”，除增加了1顆DB芯片外，還增加了3個配套芯片：SPD、TS、PMIC。

對于DDR5新增加的3款配套芯片，瀾起科技已經(jīng)成功切入研發(fā)，并已經(jīng)具備量產(chǎn)能力。單條內(nèi)存中價格的提升，將成為瀾起科技業(yè)績的另一重推力。

/03/津逮能夠撐起第二增長曲線？

盡管瀾起科技極有可能是DDR5推廣后的最大受益者，但企業(yè)發(fā)展路徑背后卻依然值得投資者深思。

目前，瀾起科技實則已經(jīng)在內(nèi)存接口芯片行業(yè)做到了行業(yè)頭部，技術(shù)力獲得了市場的認(rèn)可，但即使如此，公司的業(yè)績還是無法逃脫與內(nèi)存行業(yè)高度相關(guān)的命運(yùn)。

內(nèi)存接口芯片行業(yè)市場規(guī)模太小，瀾起科技幾乎已經(jīng)達(dá)到了市場天花板，業(yè)績的進(jìn)一步增長只能依靠行業(yè)的發(fā)展速度，這顯然讓公司的發(fā)展略顯被動。

在換代初期，DDR5尚能給瀾起科技帶來業(yè)績增長，但隨著這項技術(shù)逐漸成熟，瀾起科技勢必將會再次遇到今年這樣出貨量下降，毛利率降低的情況。

像很多大公司那樣，尋找業(yè)務(wù)第二增長曲線成為瀾起科技急需解決的課題。

從公司布局看，津逮服務(wù)器CPU、PCIe Retimer芯片、人工智能芯片是未來的三大核心方向。目前津逮服務(wù)器CPU已經(jīng)能夠穩(wěn)定貢獻(xiàn)收入，PCIe Retimer芯片也在量產(chǎn)前夕，而人工智能芯片則尚需時日孵化。

由此來看，今年前三季度表現(xiàn)超預(yù)期的津逮服務(wù)器CPU似乎極有可能成為公司的第二增長曲線。

瀾起科技三季報中，津逮服務(wù)器平臺開始放量，產(chǎn)品收入達(dá)3771萬元，同比增長近700%。同時，公司在今年4月繼續(xù)推出第三代津逮CPU產(chǎn)品，以便于更好的滿足下游用戶的需求。

但一塊津逮服務(wù)器CPU中，主要包含英特爾的CPU和瀾起科技的混合安全內(nèi)存模組兩部分，其中英特爾的CPU在總體成本中占比超九成，瀾起科技再次遭遇產(chǎn)品成本占比偏低的尷尬。

錦上添花容易，雪中送炭很難。拯救瀾起科技股價頹勢的依然是DDR5風(fēng)口的到來，津逮服務(wù)器CPU真的能夠撐得起瀾起科技的業(yè)績嗎？這依然需要時間去驗證。

關(guān)鍵詞： 受益者 風(fēng)口 藏在